삼성이 AI 데이터 센터를 위한 400층 수직 NAND 플래시 칩을 2026년까지 출시할 계획이라고 보도됐다.
한국경제신문의 보도에 따르면 삼성의 디바이스 솔루션(DS) 부문은 AI 데이터 센터의 급증하는 수요를 충족하기 위해 최첨단 V10 NAND로 NAND 플래시 시장을 발전시키는 것을 목표로 하고 있다.
보고서에 따르면 삼성의 메모리 로드맵은 메모리 셀과 주변 회로를 서로 다른 웨이퍼에 별도로 구축한 후 이를 단일 칩으로 융합하는 본딩 기술을 활용한 10세대 NAND의 계획을 보여준다. 본딩 수직 NAND 플래시(BV NAND)로 알려진 이 새로운 접근 방식은 열 축적을 최소화하고 용량과 성능을 극대화하여 삼성에서 "AI를 위한 꿈의 NAND"라고 설명한 제품을 만든다.
BV NAND 설계는 단위 면적당 비트 밀도를 1.6배 증가시켜 AI 애플리케이션에 적합한 초고용량 SSD를 지원한다.
삼성의 현재 286층 V9 NAND 칩은 중요한 이정표를 세웠지만, 400층 V10은 용량 한계를 재정의할 것으로 예상되며, 초대형 AI 하이퍼스케일 SSD를 위한 200TB 저장 한계를 돌파할 가능성이 있다. 또한 에너지 효율성을 개선할 예정이다.
향후 출시를 위해 세계 최대 메모리 칩 제조업체인 삼성은 2027년까지 50% 더 빠른 데이터 전송 속도를 가진 11세대 V11 NAND를 도입할 계획이다. 이는 고수요 데이터 저장 요구를 최적화하는 데 기여할 것이다.
삼성의 야심찬 NAND 로드맵은 2030년까지 1,000층을 초과하는 칩을 계획하고 있으며, 이는 AI 애플리케이션이 방대한 양의 데이터를 처리하기 위해 필요한 광범위한 저장 솔루션을 요구함에 따라 삼성의 고용량 NAND 시장에서의 선두 자리를 유지하기 위한 것이다.
DRAM 부문에서도 삼성은 2024년 말까지 고성능 AI 칩에 사용될 6세대 1c DRAM과 7세대 1d DRAM을 출시할 계획이다. 한국경제신문의 보도에 따르면, 삼성은 2027년까지 수직 채널 트랜지스터 구조를 사용하여 더 큰 안정성과 효율성을 제공하는 10nm 이하의 0a DRAM도 계획하고 있다.
